依据江苏省教育考试院《电子信息专业大类专业综合科目基础理论考试大纲》（2026）及南大版《江苏”专转本”电子信息专业大类考试必读》整理。考试前请以当年最新公布大纲为准。

本篇为 12 章完整整合版复习手册，一页通读全部内容；每章另有配套学习要点与例题集，见文末链接。

目录

  • 考试概览与备考策略
  • 第一部分 电路分析：第1章 直流电路基础与基本定律｜第2章 电路分析方法与电路定理｜第3章 一阶动态电路与暂态分析｜第4章 正弦稳态电路分析
  • 第二部分 模拟电子技术：第5章 半导体器件基础｜第6章 基本放大电路｜第7章 放大电路中的负反馈｜第8章 集成运算放大器及其应用
  • 第三部分 数字电子技术：第9章 数制码制与逻辑代数｜第10章 门电路与组合逻辑电路｜第11章 触发器与时序逻辑电路｜第12章 数模与模数转换电路

考试概览与备考策略

  • 专业综合科目 = 基础理论（150分）＋ 专业综合操作技能（80分），以当年省考试院公布方案为准。
  • 基础理论三科：电路约50分、模电约50分、数电约50分。
  • 适用专业：电子信息工程、通信工程、电气工程及其自动化、自动化、微电子、光电信息等12个专业。
  • 备考顺序：电路（基础）→ 模电（放大电路为核心）→ 数电（卡诺图与计数器常出大题）；一轮打基础、二轮刷真题。
  • 每章例题须盖住答案独立重做；三科核心公式约40条，抄成卡片反复记忆；江苏考重复率高，往年真题必吃透。

第一部分 电路分析

第1章 直流电路基础与基本定律

一、考纲考点

电路的作用与组成、电路模型；基本物理量（电流、电压、电位、功率）；三种工作状态；欧姆定律；KCL/KVL；电位计算。

二、核心知识点

  • 参考方向可任意假设，结果为负表示实际方向相反；关联参考方向：电流从电压”+”端流入。
  • 功率 P=UI：关联方向下 P>0 吸收功率（负载）、P<0 发出功率（电源）；电路满足功率守恒。
  • 全电路欧姆定律 I=E/(R+r)，端电压 U=E−Ir；开路 I=0、U=E；短路 U=0、I=E/r（大电流，应避免）。
  • KCL：任一节点 ΣI入=ΣI出（ΣI=0）；KVL：任一回路 ΣU=0。列式前先标参考方向，符号规则全程统一。
  • 电位：某点对参考点（接地，电位0）的电压；电压=两点电位差，Uab=Va−Vb。

三、重点概念

电路模型与理想元件、参考方向（关联/非关联）、电动势与端电压、节点/支路/回路/网孔。

四、关键公式

U=IR；I=E/(R+r)；U=E−Ir；P=UI=I²R=U²/R；ΣI=0；ΣU=0。

五、典型例题与解题方法

例：6V电源正极→R2(4kΩ)→A点→R1(2kΩ)→−12V端（接地）。求A点电位。
解：I=[6−(−12)]/(4k+2k)=3mA；VA=6−3×4=−6V（从另一条路径验算一致）。
方法：求电位先选参考点，沿一条路径算到底再用第二条路径验算。

六、易错点

功率正负先判断方向关联性；KCL/KVL 符号规则不统一；电位计算忘选参考点。

第2章 电路分析方法与电路定理

一、考纲考点

电阻串并联等效；电源等效变换；支路/网孔/回路电流法；节点电压法；叠加、戴维南、诺顿、替代定理；最大功率传输。

二、核心知识点

  • 串联：R=R1+R2，分压 Uk=(Rk/R)U；并联：R=R1R2/(R1+R2)，分流 I1=[R2/(R1+R2)]I。
  • 电源等效：恒压源E串r ↔ 恒流源Is并r，Is=E/r，内阻不变；理想源之间不能互相等效。
  • 支路电流法：对(n−1)个节点列KCL、对b−(n−1)个网孔列KVL；网孔/回路电流法：自阻×本网孔电流−互阻×邻网孔电流=本网孔电压源代数和；节点电压法：两节点可直接用弥尔曼公式。
  • 叠加定理：各电源单独作用（其余恒压源短路、恒流源开路）的代数和；只适用线性电路，功率不可叠加。
  • 戴维南：线性含源二端网络 = 恒压源Uoc＋电阻Req串联；诺顿 = 恒流源Isc＋Req并联，Isc=Uoc/Req。
  • 最大功率传输：R=Req 时 Pmax=Uoc²/(4Req)。

三、重点概念

等效变换、独立回路、除源、开路电压、短路电流、等效内阻。

四、关键公式

Uk=(Rk/R)U；I1=[R2/(R1+R2)]I；Is=E/r；I=Uoc/(Req+R)；Pmax=Uoc²/(4Req)。

五、典型例题与解题方法

例：Uoc=12V、Req=4Ω、RL=6Ω。求负载电流。解：I=12/(4+6)=1.2A。
方法：戴维南三步——求Uoc（负载开路）、求Req（除源后端口等效电阻）、代入I=Uoc/(Req+R)。

六、易错点

求Req时受控源必须保留；叠加”除源”操作做错；功率不能叠加。

第3章 一阶动态电路与暂态分析

一、考纲考点

过渡过程概念；换路定律；零输入响应；零状态响应；三要素法及全响应。

二、核心知识点

  • 电容 i=C·du/dt、电感 u=L·di/dt，储能元件导致过渡过程；稳态时电容开路、电感短路。
  • 换路定律：uc(0+)=uc(0−)、iL(0+)=iL(0−)；其余量0+时刻可突变。
  • 初值三步骤：换路前稳态求uc(0−)/iL(0−) → 换路定律得0+值 → 0+电路中把电容当恒压源、电感当恒流源，解出各量0+值。
  • 零输入响应：RC：uc(t)=U0·e^(−t/τ)，τ=RC；RL：iL(t)=I0·e^(−t/τ)，τ=L/R。零状态：uc(t)=Us(1−e^(−t/τ))。
  • 全响应=零输入+零状态=稳态分量+暂态分量；t=3τ~5τ 过渡结束。

三、重点概念

换路、初始值、稳态值、时间常数τ（决定过渡快慢）。

四、关键公式

i=C·du/dt；u=L·di/dt；τ=RC（或τ=L/R）；三要素法 f(t)=f(∞)+[f(0+)−f(∞)]·e^(−t/τ)。

五、典型例题与解题方法

例：uc(0−)=4V，R=1kΩ，C=10μF，t=0接12V电源。求uc(t)。
解：f(0+)=4V、f(∞)=12V、τ=1k×10μ=0.01s；uc(t)=12+(4−12)e^(−100t)=12−8e^(−100t) V。
方法：三要素法取初始值、稳态值、时间常数三步；τ中的R是从储能元件两端看进去的除源等效电阻。

六、易错点

0+时电容电流、电感电压可突变；指数必须带负号；单位统一（τ用s）。

第4章 正弦稳态电路分析

一、考纲考点

正弦量三要素、有效值、相位差；相量表示法；R/L/C在交流电路中的作用；RLC串并联；功率与功率因数；谐振；最大功率传输。

二、核心知识点

  • 三要素：幅值Um、角频率ω=2πf、初相φ；有效值U=Um/√2；相位差φ=φ1−φ2，>0超前、=0同相、±90°正交、180°反相。
  • 相量：复数表示正弦量（模=有效值、辐角=初相）；求导对应乘jω、积分对应除jω。
  • R：U=RI 同相；L：U=jωL·I，电压超前电流90°，XL=ωL；C：电压滞后电流90°，XC=1/ωC。
  • 阻抗 Z=R+jX，|Z|=√(R²+X²)，φ=arctan(X/R)；串联 X=XL−XC。
  • 功率：S=UI、P=UIcosφ、Q=UIsinφ、S²=P²+Q²；感性负载并联电容提高功率因数。
  • 串联谐振：XL=XC，f0=1/(2π√(LC))，Z最小=R、电流最大、UL=UC可远高于电源电压，Q=UL/U=ω0L/R。
  • 正弦最大功率传输：共轭匹配（Z=Z0*）。

三、重点概念

有效值、相位差、相量、阻抗/导纳、功率因数、品质因数、谐振。

四、关键公式

U=Um/√2；XL=2πfL；XC=1/(2πfC)；|Z|=√(R²+X²)；P=UIcosφ；f0=1/(2π√(LC))。

五、典型例题与解题方法

例：R=6Ω与XL=8Ω串联接220V。求I、cosφ、P。
解：|Z|=√(6²+8²)=10Ω，I=22A；cosφ=R/|Z|=0.6；P=220×22×0.6=2904W。
方法：先求阻抗再得电流；cosφ由阻抗角决定（串联用R/|Z|）。

六、易错点

串联谐振电压可高于电源电压（判断题高频）；并联电路用导纳分析；有效值与最大值换算漏√2。

第二部分 模拟电子技术

第5章 半导体器件基础

一、考纲考点

半导体基础知识与PN结；二极管伏安特性及参数；特殊二极管；三极管结构、特性与工作状态。

二、核心知识点

  • N型：多数载流子自由电子；P型：多数载流子空穴。PN结单向导电：正偏导通、反偏截止；硅管导通压降约0.7V、锗管约0.3V。
  • 二极管伏安特性：正向超过死区电压后电流指数增大、反向为很小的反向饱和电流；等效模型：理想模型、恒压降模型（0.7V）。应用：整流、限幅、钳位。
  • 稳压管工作在反向击穿区，与限流电阻配合稳压；发光二极管正向导通发光；光电二极管反向电流随光照变化。
  • 三极管：发射结正偏、集电结反偏才能放大（NPN：UC>UB）；Ic=βIb、Ie=(1+β)Ib；三个工作区：放大（Ic=βIb）、饱和（UCE≈0.3V）、截止（Ib≈0）。

三、重点概念

杂质半导体、PN结、死区电压、反向击穿、电流放大系数β。

四、关键公式

Ic=βIb；Ie=(1+β)Ib；UBE≈0.7V；UCES≈0.3V（硅管）。

五、典型例题与解题方法

例：UCC=12V→RB=240kΩ→基极，RC=2kΩ，β=50。判断工作状态。
解：Ib=(12−0.7)/240k≈47μA；Ic=βIb≈2.35mA；UCE=12−2.35×2=7.3V>0.3V→放大区。
方法：先假设放大求Ic=βIb，比较UCE与UCES判断实际状态。

六、易错点

二极管判断用”假设—验证”法；稳压管必须反接；三极管状态判断忘比UCE。

第6章 基本放大电路

一、考纲考点

共射电路组成；静态工作点；图解分析法；小信号等效电路法；静态工作点稳定；共集/共基；多级放大。

二、核心知识点

  • 直流通路（电容开路）求静态，交流通路（电容短路、直流源置零）求动态。
  • 分压偏置：UB≈UCC·RB2/(RB1+RB2)；IE≈(UB−UBE)/RE；IB=IC/β；UCE≈UCC−IC(RC+RE)。
  • Q点不当引起失真：Q过高→饱和失真（NPN底部削波）；Q过低→截止失真（NPN顶部削波）。
  • 微变等效：rbe≈300+(1+β)·26mV/IEQ；共射：Au=−βR’L/rbe（R’L=RC//RL）、Ri≈rbe//RB1//RB2、Ro≈RC。
  • 共集（射随器）：Au≈1、Ri大、Ro小；共基：同相、高频特性好。
  • 耦合方式：阻容（Q点独立）、直接（可放大直流，有零漂问题）、变压器；多级总Au=Au1·Au2·…，总Ri看第一级、总Ro看末级。

三、重点概念

静态工作点Q、负载线、失真（饱和/截止）、微变等效模型、输入/输出电阻。

四、关键公式

UB≈UCC·RB2/(RB1+RB2)；Au=−βR’L/rbe；rbe≈300+(1+β)26mV/IEQ；Ro≈RC。

五、典型例题与解题方法

例：UCC=12V，RB1=20k，RB2=10k，RC=2k，RE=1k，β=50，RL=2k。求Q点与Au、Ri、Ro。
解：UB=4V；IE≈3.3mA；UCE≈2.1V；rbe≈0.7kΩ；R’L=1kΩ；Au≈−71；Ro≈2kΩ。
方法：先直流（Q点）后交流（动态指标），rbe用静态IEQ计算（IE用mA）。

六、易错点

rbe公式中26mV/IE的IE单位是mA；Au负号表反相；总Ri/Ro取级。

第7章 放大电路中的负反馈

一、考纲考点

反馈概念（正/负、直流/交流）；四种组态判别；负反馈对性能的影响；深度负反馈估算。

二、核心知识点

  • 判别极性用瞬时极性法：净输入减小为负反馈；直流负反馈稳定Q点、交流负反馈改善动态性能。
  • 取样：取自输出电压→电压反馈；取自输出电流→电流反馈（口诀：负载短路，反馈消失为电压反馈，仍存在为电流反馈）。
  • 比较：反馈与输入在输入端以电压串联叠加→串联反馈；以电流并联叠加→并联反馈。组合：电压串联/电压并联/电流串联/电流并联。
  • 负反馈影响：稳定增益（下降为1/(1+AF)）、展宽频带、减小非线性失真；串联→Ri增大、并联→Ri减小；电压→Ro减小、电流→Ro增大。
  • 深度负反馈：Af≈1/F；电压串联深反馈 Af≈(R1+Rf)/R1。

三、重点概念

反馈网络、取样方式、比较方式、反馈深度1+AF、自激。

四、关键公式

Af=A/(1+AF)；深度负反馈 Af≈1/F；电压串联 uo/ui≈(R1+Rf)/R1。

五、典型例题与解题方法

例：输出经Rf引回基极（与输入电流叠加），取样自uo。判断组态。
解：取样自电压→电压反馈；输入端并联比较→并联反馈；极性为负→电压并联负反馈。
方法：判组态固定三步——取样（电压/电流）→比较（串联/并联）→极性（正/负）。

六、易错点

射极输出器属电压串联负反馈；正反馈用于振荡器，极性别判反。

第8章 集成运算放大器及其应用

一、考纲考点

运放组成与特点；理想运放概念；基本线性运算（比例、求和、求差、积分、微分）；单门限比较器。

二、核心知识点

  • 组成：输入级（差分）、中间级（电压放大）、输出级（互补对称功放）；开环增益极高。
  • 理想运放两大结论：虚短（u+=u−）、虚断（i+=i−=0）；使用前提是引入负反馈（线性工作区）。
  • 运算电路：反相比例 uo=−(Rf/R1)ui；同相比例 uo=(1+Rf/R1)ui；电压跟随器 uo=ui；反相加法 uo=−Rf(ui1/R1+ui2/R2)；减法 uo=(Rf/R1)(ui2−ui1)；积分 uo=−(1/RC)∫ui dt；微分 uo=−RC·dui/dt。
  • 比较器（开环或正反馈，非线性区）：u+>u− 输出+Uom，u+<u− 输出−Uom；阈值=参考电压；传输特性曲线常考作图。

三、重点概念

差动输入、虚短、虚断、线性区/非线性区、阈值电压、电压传输特性。

四、关键公式

uo=−(Rf/R1)ui；uo=(1+Rf/R1)ui；uo=−Rf(ui1/R1+ui2/R2)；uo=(Rf/R1)(ui2−ui1)；uo=−(1/RC)∫ui dt。

五、典型例题与解题方法

例：R1=10k、Rf=100k、ui=0.2V（反相）。解：uo=−(100/10)×0.2=−2V。
方法：先看反馈结构判断工作区；线性区才用虚短虚断；多运放级联逐个写关系再联立。

六、易错点

无反馈/正反馈只能当比较器，不可用虚短；积分输出随时间线性变化。

第三部分 数字电子技术

第9章 数制码制与逻辑代数

一、考纲考点

数制转换；8421BCD码；基本运算与定律；逻辑函数表示方法及互转；逻辑函数化简。

二、核心知识点

  • 其他进制→十进制：按权展开；十进制→二进制：整数除2取余（倒序）、小数乘2取整（正序）；二进制↔八进制三位一组、↔十六进制四位一组。
  • 8421BCD：四位二进制表示一位十进制（仅0000~1001），与纯二进制不同。
  • 基本运算：与（有0出0）、或（有1出1）、非；复合：与非、或非、异或（相异为1）、同或。
  • 定律：交换/结合/分配律、0-1律、互补律A+Ā=1、重叠律、吸收律A+AB=A、A+ĀB=A+B、摩根定律(AB)’=Ā+B̄、(A+B)’=ĀB̄。
  • 表示方法：真值表、表达式（与或/或与）、卡诺图、逻辑图，可互转；n变量有2ⁿ个最小项。
  • 卡诺图化简：圈大、圈少、不遗漏、可重叠；每圈消去变化的变量；无关项可当1用。

三、重点概念

权、最小项、约束项、与或式、逻辑相邻。

四、关键公式

(AB)’=Ā+B̄；(A+B)’=ĀB̄；A+AB=A；A+ĀB=A+B；A⊕B=ĀB+AB̄。

五、典型例题与解题方法

例1：化简F=Σm(0,1,2,3,6,7)。解：圈(0,1)→ĀB̄；圈(2,3,6,7)→B；F=ĀB̄+B=Ā+B。
例2：十进制29→二进制11101、八进制35、十六进制1D、BCD码0010 1001。
方法：卡诺图按格雷码序排列，圈要矩形且含2^n个小格。

六、易错点

BCD与二进制混算；卡诺图边界相邻（循环）漏圈；反函数变换规则写错。

第10章 门电路与组合逻辑电路

一、考纲考点

基本门电路及TTL/CMOS特点；组合逻辑分析与设计；编码器/译码器/数据选择器/加法器/比较器；竞争冒险。

二、核心知识点

  • 与非门”有0出1、全1出0”；或非门”有1出0、全0出1”；异或”相异出1”。
  • TTL：电源5V、输入端悬空=高电平1、扇出大；CMOS：功耗极低、电源范围宽、输入不允许悬空、易静电损坏。
  • OC门（集电极开路）线与时需外接上拉电阻；三态门输出0/1/高阻，用于总线。
  • 组合电路分析：写表达式→化简→真值表→说明功能；设计：真值表→表达式→化简→画图。
  • 常用器件：74LS148优先编码器；74LS138（3-8译码，输出低有效，F=Σm(i…)=(Yi·…)’接与非门）；74LS151（8选1，F=Σ(Di·mi)，Di接0/1实现任意三变量函数）；74LS283加法器；74LS85比较器。
  • 竞争冒险：信号路径时差引起毛刺；消除：加选通脉冲、增加冗余项、加滤波电容。

三、重点概念

扇出系数、线与、高阻态、低有效输出、最小项译码、竞争冒险。

四、关键公式

F=Σm→138实现：(Yi·Yj·…)′；151实现：F=Σ(Di·mi)。

五、典型例题与解题方法

例：用74LS138+与非门实现F=Σm(1,3,5,7)。解：F=(Y1·Y3·Y5·Y7)’，四输出接四输入与非门。
方法：138输出低有效必配与非门；151则数据端接常量/变量。

六、易错点

TTL悬空=1而CMOS不可悬空；普通TTL输出不能直接并联（线与要OC门）。

第11章 触发器与时序逻辑电路

一、考纲考点

触发器分类与动作特点；RS/JK/D/T触发器；触发器转换；寄存器与移位寄存器；计数器及任意进制构成；同步时序电路分析。

二、核心知识点

  • 特性方程：JK：Q(n+1)=JQ̄(n)+K̄Q(n)；D：Q(n+1)=D；T：Q(n+1)=T⊕Q(n)（T=1为T′翻转触发器，二分频）。
  • 边沿触发抗干扰好，只在有效时钟边沿更新；电平触发在有效电平期间跟随输入。
  • 转换：D→T′：D=Q̄。
  • 寄存器：n位D触发器并行收发；移位寄存器74LS194（左移/右移/并入）。
  • 74LS161（同步二进制加法）：异步清零RD、同步置数LD。任意进制：（异步清零法）状态N译码清零；（同步置数法）状态N−1译码置数，后者可靠。
  • 74LS160十进制版；74LS290异步二–五–十进制计数器。
  • 时序电路分析三步：驱动方程→状态方程（代特性方程）→输出方程；列状态表、画状态图、说明功能。

三、重点概念

时钟边沿、异步置位/复位、驱动方程、状态方程、自启动。

四、关键公式

Q(n+1)=JQ̄(n)+K̄Q(n)；Q(n+1)=D；Q(n+1)=T⊕Q(n)；D→T′取D=Q̄。

五、典型例题与解题方法

例1：161同步置数构成十二进制。解：状态0~11，Q3Q2Q1Q0=1011时译码使LD=0置入0000。
例2：T′=1接f=100kHz输入，输出fQ=50kHz（二分频）。
方法：清零法数到N、置数法数到N−1，两个”差1”是高频考点。

六、易错点

异步清零/同步置数状态差1；计数器设计后要验证N个状态与自启动。

第12章 数模与模数转换电路

一、考纲考点

D/A原理与典型电路；A/D过程（采样、保持、量化、编码）；主要技术指标。

二、核心知识点

  • 权电阻DAC：按权求和，电阻种类多；倒T型DAC只用R/2R两种电阻、精度高，最常用。
  • A/D四步：采样→保持→量化→编码；采样定理 fs≥2fmax。
  • ADC类型：逐次逼近型（快、精度较高、应用广）；双积分型（抗干扰强、慢，用于数字仪表）。
  • 指标：分辨率（最小分辨电压/位数）、转换精度、转换时间。

三、重点概念

量化单位1LSB、分辨率、满量程、采样定理。

四、关键公式

1 LSB=UFS/2ⁿ；DAC最小步进=UFS/(2ⁿ−1)；fs≥2fmax。

五、典型例题与解题方法

例1：8位DAC、Uref=5V。解：步进=5/255≈19.6mV；(10000001)₂=129→uo≈2.53V。
例2：0~10V范围分辨率优于0.1V。解：2ⁿ≥100→n≥7位。
方法：二进制先转十进制再乘比例；分清分母2ⁿ与2ⁿ−1。

六、易错点

DAC分辨率分母(2ⁿ−1)与ADC的2ⁿ差1，看题下笔；位数按”优于”要求向上取整。

附录：复习节奏建议

  1. 第一轮（理解）：按本手册顺序逐章过知识点+例题，画出三科思维导图。
  2. 第二轮（刷题）：按章做真题与模拟题，错题回归对应章节；大题集中练戴维南、三要素法、Q点与动态指标、卡诺图、任意进制计数器。
  3. 第三轮（冲刺）：公式卡片+错题本+真题全真模拟。

配套资源